7月9日，記者獲悉，中山火炬高新區(qū)企業(yè)中山德華芯片技術有限公司（以下簡稱“德華芯片”）承擔的“InP基超晶格薄膜制備及寬光譜單光子雪崩探測器件研制”項目，近日成功通過廣東省重點領域研發(fā)計劃（前沿新材料專項）的嚴格評審，獲得1500萬元的立項支持。
面對國內InP基單光子雪崩探測器技術研究起步較晚、技術相對滯后的現狀，德華芯片技術團隊迎難而上，在陣列大小、探測效率和暗計數等方面不斷提升，整合國內優(yōu)勢科研資源，自主研制高性能硅襯底InP基近紅外單光子雪崩探測陣列，使中國在該領域擺脫國際封鎖，攀登技術制高點。
據了解，該技術將突破下一代激光雷達傳感技術接收端器件性能不足及集成度不高的問題，解決我國核心高端元器件所面臨的“卡脖子”技術難題，推動自動駕駛、機器人、物聯網等產業(yè)技術的發(fā)展，實現核心技術獨立自主的良好生態(tài)。
德華芯片是國家級高新技術企業(yè)、國家專精特新“小巨人”企業(yè)，致力于高端化合物半導體外延片、芯片的研發(fā)和產業(yè)化，業(yè)務聚焦空間能源、全電無人機能源、微光夜視等領域，解決核心材料及元器件的國產化問題，助力國家航天和軍工事業(yè)發(fā)展。
記者 譚華健 通訊員 肖晨茜
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